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UGE3134AG 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Diode ( Rectifier )의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | UGE3134AG | Diode ( Rectifier ) |
American Microsemiconductor |
관련 키워드 검색 결과 ( UGE3134, 3134 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
PH3134-11S | Radar Pulsed Power Transistor/ 11 W/ lms Pulse/ 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz * an AMP company ==5= ,,-= E ---== EF .-----z ,= Radar Pulsed Power Transistor, 11 W, lps Pulse, 10% Duty PH3134-11s 3.1 - 3.4 GHz Features NPN Silicon Microwave Power Transistor Common Base Configuration Broadband Class C Operation High Efficiency Interdigitated Geometry Di |
Tyco Electronics |
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PH3134-2OL | Radar Pulsed Power Transistor/ 2OW/ 300ms Pulse/ 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300~s Pulse, 10% Duty PH3134-2OL 3.1 - 3.4 GHz Features NPN Silicon Microwave Power Transistor Common Base Configuration Broadband Class C Operation High Efficiency Interdigitated Geometry Diffused Emitter Ballasting Resistors Gold Metalization |
Tyco Electronics |
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PH3134-30S | Radar Pulsed Power Transistor/ 3OW/ lms Pulse/ 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz --= --=z an AMP company = Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, lps Pulse, 10% Duty PH3134-30s 3.1 - 3.4 GHz v2.00 Features l l l l l l l l NPN Silicon Microwave Power Transistor Common Base Configuration Broadband Class C Operation High Efficiency Interdigitated Geometry Diffu |
Tyco Electronics |
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PH3134-55L | Radar Pulsed Power Transistor/ SW/ 300ms Pulse/ 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz an AMP company Radar Pulsed Power Transistor, SW, 300~s Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz PH3134-55L Features NPN Silicon Microwave Power Transistor Common Base Configuration Broadband Class C Operation High Effkiency Interdigitated Geometty Diffused Emitter Ballasting Resistors Gol |
Tyco Electronics |
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