|
|
V260B3-L03 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Tft Lcd Module의 기능을 가지고 있습니다. |
V260B3-L03의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | V260B3-L03 | TFT LCD Module Global LCD Panel Exchange Center www.panelook.com Issued Date: 15, Apr 2009 Model No.: V260B3 – L03 Approval TFT LCD Approval Specification MODEL NO.: V260B3 – L03 Approved By TV Head Division LY Chen Reviewed By QA Dept. Kc_Ko Product Development |
CHI MEI |
관련 키워드 검색 결과 ( V260B3L03, 2603 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
LNA2603F | GaAs Infrared Light Emitting Diode Infrared Light Emitting Diodes LNA2603F GaAs Infrared Light Emitting Diode Unit : mm Not soldered 0.8 max. For optical control systems 1.5±0.2 Features High-power output, high-efficiency : PO = 6 mW (typ.) Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors : λP = 940 n |
Panasonic Semiconductor |
|
2SC2603 | NPN SILICON TRANSISTOR |
Micro Electronics |
|
SST2603 | P-Channel Enhancement Mode Power MosFET SST2603 -5A, -20V,RDS(ON) 65m£[ Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOT-26 Description The SST2603 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely effic |
SeCoS |
|
SSM2603GY | P-channel Enhancement-mode Power MOSFET SSM2603GY P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device S D D SOT-26 G D D DESCRIPTION Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, e |
Silicon Standard |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |