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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | VBT10202C-M3 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier VT10202C-M3, VBT10202C-M3, VIT10202C-M3 www.vishay.com Vishay General Semiconductor Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A TMBS ® TO-220AB VT10202C 3 2 1 PIN 1 PIN 2 PIN 3 CASE TO-263AB K TO-262 |
Vishay |
관련 키워드 검색 결과 ( VBT10202CM3, 10202 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
DEA102025LT-6313A1 | Multilayer Low Pass Filter RF Components June 2015 Multilayer Low Pass Filter For 1880-2025MHz DEA102025LT-6313A1 1.0x0.5mm [EIA 0402]* * Dimensions Code JIS[EIA] RF Components Multilayer Low Pass Filter For 1880-2025MHz DEA102025LT-6313A1 SHAPES AND DIMENSIONS [Top view] 1.00±0.05 (4) 0.40max. (1) |
TDK |
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PTF102027 | 40 Watts/ 925-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor PTF 102027 40 Watts, 925–960 MHz GOLDMOS ® Field Effect Transistor Description The PTF 102027 is a 40–watt GOLDMOS FET intended for EDGE applications from 925 to 960 MHz. This device operates at 53% efficiency with 15 dB of gain typical. Full gold metallization ensures excel |
Ericsson |
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PTF102028 | 18 Watts/ 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor PTF 102028 18 Watts, 860–960 MHz GOLDMOS ® Field Effect Transistor Description The PTF 102028 is an 18–watt GOLDMOS FET intended for large signal amplifier applications 860 to 960 MHz. It operates with 55% efficiency and 15 dB gain. Nitride surface passivation and full gold |
Ericsson |
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MN1020219 | (MN1020019 / MN1020219 / MN1020419 / MN1020819) Microcomputers/Controllers |
Panasonic Semiconductor |
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