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WNM3019 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Mosfet ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | WNM3019 | MOSFET ( Transistor ) WNM3019 Small Signal N-Channel, 30V, 0.2A, MOSFET VDS (V) Typical Rds(on) (Ω) 1.2@ VGS=10V 30 1.4@ VGS=4.5V 1.9@ VGS=2.5V ESD Rating: 2000V HBM Descriptions The WNM3019 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and |
WillSEMI |
관련 키워드 검색 결과 ( WNM3019, 3019 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
2SC3019 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
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2N3019 | NPN medium power transistor DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D111 2N3019 NPN medium power transistor Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 1997 Jun 19 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transisto |
NXP Semiconductors |
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2N3019 | HIGH CURRENT/ HIGH FREQUENCY AMPLIFIERS |
STMicroelectronics |
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2N3019 | NPN SILICON TRANSISTOR 2N3019 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 8.89 (0.35) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) NPN SILICON TRANSISTOR FEATURES • NPN High Voltage Planar Transistor • Hermetic TO39 Package 4.19 (0.165) 4.95 (0.195) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 7.75 (0.305) 8. |
Seme LAB |
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